12. Вивести формулу вуглеводню, якщо на спалювання його об'ємом 0,3 л витратили кисень об'ємом 1,95 л, а внаслідок реакції утворився вуглекислий газ об'ємом 1,2 л і пари води об'ємом 1,5 л.
2. Используеим Закон объемных отношений: Закон объёмных отношений формулируется так: Объёмы вступающих в реакцию газов относятся друг к другу и к объёмам образующихся продуктов реакции, как небольшие целые числа. В уравнении реакции коээфициенты при веществах будут соответствовать объемам веществ.
3. 3H₂+N₂=2NH₃
а)по уравнению реакции:
У водорода коээфициент 3, значит принимаем, что это 3мл.
У азота коээфициент 1, значит принимаем, что это 1мл.
б) по условию задачи:
Объем водорода 120мл., значит потребуется азота в три раза меньше:
V(N₂)=120мл.÷3 =40мл.
4.ОТВЕТ: с 120 мл водорода прореагирует 40мл. азота.
Кристалі́чна ґра́тка — геометрично правильне розміщення атомів (йонів, молекул), властиве речовині, що перебуває в кристалічному стані. Просторові фігури (наприклад, паралелепіпеди) у вершинах яких розміщено атоми, називаються комірками кристалічної ґратки, регулярна нескінченна система геометричних точок (вузлів ґратки), що є ідеально періодичною в трьох вимірах простору; існує 14 основних типів просторових ґраток.
Найменша комірка кристалічної ґратки, зсувом якої можна відтворити весь кристал, називається примітивною коміркою.
У випадку простої ґратки, у якій всі атоми одного сорту, примітивна комірка містить один атом.
Основні параметри кристалічних ґраток[1]:
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
дефекти Френкеля
Дефекти кристалічних ґраток, що полягають у розміщенні певної кількості атомів чи йонів у міжвузлях, причому частина вузлів може залишитись незайнятою.
дефекти Шоткі
Дефекти кристалічних ґраток, що полягають у перенесенні певної кількості атомів чи йонів з вузлових позицій усередині кристала на його поверхню, частина вузлів відповідно залишається незайнятою.
Объяснение: Дано:
V(H₂)=120мл.
V(N₂)-?
Решение №1:
1. 3H₂+N₂=2NH₃
2. Используеим Закон объемных отношений: Закон объёмных отношений формулируется так: Объёмы вступающих в реакцию газов относятся друг к другу и к объёмам образующихся продуктов реакции, как небольшие целые числа. В уравнении реакции коээфициенты при веществах будут соответствовать объемам веществ.
3. 3H₂+N₂=2NH₃
а)по уравнению реакции:
У водорода коээфициент 3, значит принимаем, что это 3мл.
У азота коээфициент 1, значит принимаем, что это 1мл.
б) по условию задачи:
Объем водорода 120мл., значит потребуется азота в три раза меньше:
V(N₂)=120мл.÷3 =40мл.
4.ОТВЕТ: с 120 мл водорода прореагирует 40мл. азота.
Кристалі́чна ґра́тка — геометрично правильне розміщення атомів (йонів, молекул), властиве речовині, що перебуває в кристалічному стані. Просторові фігури (наприклад, паралелепіпеди) у вершинах яких розміщено атоми, називаються комірками кристалічної ґратки, регулярна нескінченна система геометричних точок (вузлів ґратки), що є ідеально періодичною в трьох вимірах простору; існує 14 основних типів просторових ґраток.
Найменша комірка кристалічної ґратки, зсувом якої можна відтворити весь кристал, називається примітивною коміркою.
У випадку простої ґратки, у якій всі атоми одного сорту, примітивна комірка містить один атом.
Основні параметри кристалічних ґраток[1]:
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
дефекти Френкеля
Дефекти кристалічних ґраток, що полягають у розміщенні певної кількості атомів чи йонів у міжвузлях, причому частина вузлів може залишитись незайнятою.
дефекти Шоткі
Дефекти кристалічних ґраток, що полягають у перенесенні певної кількості атомів чи йонів з вузлових позицій усередині кристала на його поверхню, частина вузлів відповідно залишається незайнятою.