Загальний заряд двох маленьких кульок заряджених позитивно дорівнює 5*10 в 5 степені кулон. як розподілено цей заряд між кульками якщо вони розміщені на відстані 2м , одна від одної, та відштовхуються з силою 1н?
, f- частота, L - длина нитки. Если длина нитки увеличится в три раза, то частота уменьшится в раз.
2) скорость распространения волны (любой) равна v=fλ, отсюда находим частоту волны f=v/λ; f=1500/0,75=2000 Гц. Обычный человек слышит звуки почти от 20 Гц до 20000 Гц, значит эту волну он услышит.
3)
4) x=0,25sin(0,1πt)
здесь 0,25 м это амплитуда = 25 см Г)
круговая частота ω это 0,1π; т.к. ω=2πf, то частота f=0,1π/2π=0,05 Гц В)
период равен обратной частоте T=1/f; T=1/0,05=20 с. Д)
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
смотри ниже
Объяснение:
, f- частота, L - длина нитки. Если длина нитки увеличится в три раза, то частота уменьшится в раз.
2) скорость распространения волны (любой) равна v=fλ, отсюда находим частоту волны f=v/λ; f=1500/0,75=2000 Гц. Обычный человек слышит звуки почти от 20 Гц до 20000 Гц, значит эту волну он услышит.
3)
4) x=0,25sin(0,1πt)
здесь 0,25 м это амплитуда = 25 см Г)
круговая частота ω это 0,1π; т.к. ω=2πf, то частота f=0,1π/2π=0,05 Гц В)
период равен обратной частоте T=1/f; T=1/0,05=20 с. Д)
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и