3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -
На расстоянии 10 см от левого конца стержня
Объяснение:
К концам стержня длиной 40 см и массой 10 кг подвесили грузы массой 40 и 10 кг. Где надо подпереть стержень, чтобы он находился в равновесии?
Дано:
L = 40 см = 0,40 м
m₁ = 40 кг; F₁ = m₁·g = 40·10 = 400 Н
m₂ = 10 кг; F₂ = m₂·g = 10·10 = 100 Н
m₃ = 10 кг; F₃ = m₃·g = 10·10 = 100 Н
____________________
x - ?
Сделаем чертеж.
Составим уравнение моментов:
F₁·x = F₂·(L-x)+F₃·(L/2-x)
400·x = 100·(0,40 - x) + 100·(0,20 - x)
400·x = 40 - 100· x + 20 - 100·x
600·x = 60
x = 60/600 = 0,10 м или 10 см