Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Значение : большинство людей, изучающих основы , в будущем не собираются стать . некоторые будут работать либо в области , либо в смежных областях, в технике или области других наук. независимо от того, в какой области вы собираетесь трудиться в дальнейшем, знания о природе, наблюдаемой глазами , вам понять изменения, происходящие в окружающем вас мире.что такое ? дает возможность ответить на эти и другие вопросы. она позволяет предсказывать и строить новое, понимать и проникнуть в неизвестное. из того, что мы узнаем в , формируются новые представления, воспроизводятся новые явления. говоря о роли , выделим три основных момента. во-первых, является для человека важнейшим источником знания об окружающем мире. во-вторых, , не прерывно расширяя и многократно умножая возможности человека, обеспечивает его уверенное продвижения по пути технического прогресса. в-третьих, вносит существенный вклад в развития духовного облика человека, формирует его мировоззрение, учит ориентироваться в шкале культурных ценностей. поэтому можно говорить соответственно о научном, техническом и гуманитарном потенциалах . эти три потенциала содержались в всегда. но особенно ярко и весомо они проявились в хх столетия, что и предопределило ту исключительно важную роль, какую стала играть в современном мире.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и