В точках A и B определи направление линий магнитного поля прямого проводника с током, изображённого на рисунке.
Из предложенных ответов выбери правильный:
в обеих точках вверх
в точке A — вверх, в точке B — вниз
в обеих точках вниз
в точке A — вниз, в точке B — вверх
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
Формула силы тяжести: F = mg, где m - масса, g - ускорение свободного падения, равное 10 м/c². у нас неизвестна масса, но мы можем легко ее найти, потому что у нас известен объем и плотность гранита тоже легко можно найти: m = pV, где V - объем, p - плотность (плотность гранита 2600 кг/м³)
F = pVg = 2600 кг/м³ * 1м³ * 10 м/c² = 26000 (кг*м)/c² = 26000 Н = 26 кН
ответ: 26кН
#2
Дано:
M=0.2
m=100 кг
Найти:
F
Решение:
x: F- Fтр=0
y: N-mg=0
F=Fтр
N=mg
N=100 кг * 10 м/с² = 1000 Н
Fтр= M*N
F=0.2*1000 Н = 200 Н
ответ: 200Н