4 задача 450км/ч скорость, значит возьми S расстояние = 450км t = 7ч и умножь 450 км на 7 = 3150 км Да и не забудь скорость 450км/ч в систему СИ перевести это 125м/c Как найти кинетическую энергию Ек=mV^2/2=196кг*125м/c^2/2=1 531 250 Дж или 1,53МДж
6 Задача 11 674 ступеньки умножь на 20 см = 233 480 см и переведи их в метры = 233 480/100 = 2334.8м это будет путь, он обозначается буквой s Далее найди силу тяжести тяжеловеса Fт=gm=10Н/кг*365кг=6350Н Далее находим работу A=Fs=6350H*2334.8м=1.48 МДж округли до 1.5 МДж
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
S расстояние = 450км
t = 7ч и умножь 450 км на 7 = 3150 км
Да и не забудь скорость 450км/ч в систему СИ перевести это 125м/c
Как найти кинетическую энергию
Ек=mV^2/2=196кг*125м/c^2/2=1 531 250 Дж или 1,53МДж
6 Задача
11 674 ступеньки умножь на 20 см = 233 480 см и переведи их в метры = 233 480/100 = 2334.8м это будет путь, он обозначается буквой s
Далее найди силу тяжести тяжеловеса Fт=gm=10Н/кг*365кг=6350Н
Далее находим работу A=Fs=6350H*2334.8м=1.48 МДж округли до 1.5 МДж
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.