Причина движения космического корабля по круговой орбите заключается в том что сила тяготения направлена перпендикулярно скорости корабля такая сила не совершает работу а меняет скорость корабля только по направлению Очевидно что тут нет никакой инерции потому что скорость постоянно меняется по направлению m*a=G*m*M/R^2 a=V^2/R V=√G*M/R - первая космическая скорость
Если же сила направлена не перпендикулярно скорости то траектория может быть разной в зависимости от величины скорости ( прямая, траектория, эллипс...)
В основе принципа реактивного движения лежит закон сохранения импульса часть массы ракеты в виде отработанных газов выбрасывается в одну сторону а сама ракета движется в противоположную сторону
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
такая сила не совершает работу а меняет скорость корабля только по направлению
Очевидно что тут нет никакой инерции потому что скорость постоянно меняется по направлению
m*a=G*m*M/R^2
a=V^2/R
V=√G*M/R - первая космическая скорость
Если же сила направлена не перпендикулярно скорости то траектория может быть разной в зависимости от величины скорости ( прямая, траектория, эллипс...)
В основе принципа реактивного движения лежит закон сохранения импульса
часть массы ракеты в виде отработанных газов выбрасывается в одну сторону а сама ракета движется в противоположную сторону
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -