Тело, масса которого 3 кг, находится на высоте 16 м над поверхностью земли. Вычисли его потенциальную энергию относительно крыши здания, высота которого 7 м.
1. Закон сохранения импульса (раз тележки остановились, то изначальные импульсы были равны по модулю, но противоположны по знаку): m1*V1 -m2*V2 = 0 0,6*2 = m2*3 m2 = 0,4кг или 400г - это ответ
2. Второй закон Ньютона в проекции на вертикаль в верхней точке: mg - N = ma N = m*(g-a) Центростремительное ускорение a=V²/r должно быть равно ускорению свободного падения g. В этом случае сила реакции опоры N будет нулевой, а значит вес нулевой и невесомость. V²/40 = 10 V² = 400 V = 20 (м/с) - это ответ
3. При вертикальном подъеме нужна сила Fт=m*g. Проекции сил, действующие на брусок на склоне, рисунок рисовать не буду, т.к. это полный стандарт в любой задаче. Тянем вверх без ускорения, значит ma=0 F - Fтр - m*g*sina = 0 - проекции на ось вдоль плоскости, по которой тянем N - m*g*cosa = 0 - проекции на перпендикуляр к плоскости Fтр=k*N
Подставляем N из 2 ур-я и получившееся в 1-е ур-е. F=k*m*g*cosa + m*g*sina По условию тянуть труднее, значит, F > Fт k*m*g*cosa + m*g*sina > mg k*cosa + sina > 1 k > (1-sina)/cosa
1. Металлы пропускают электрический ток в обоих направлениях, полупроводники- только в одном, диэлектрики не пропускают вообще. 2.Носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Те носители, концентрация которых выше, называют основными носителями заряда, а носители другого типа — неосновными. 3. Легирование - внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. 4. Донорные и акцепторные, которые создают носители-электроны и носителидырки.
m1*V1 -m2*V2 = 0
0,6*2 = m2*3
m2 = 0,4кг или 400г - это ответ
2. Второй закон Ньютона в проекции на вертикаль в верхней точке:
mg - N = ma
N = m*(g-a)
Центростремительное ускорение a=V²/r должно быть равно ускорению свободного падения g. В этом случае сила реакции опоры N будет нулевой, а значит вес нулевой и невесомость.
V²/40 = 10
V² = 400
V = 20 (м/с) - это ответ
3. При вертикальном подъеме нужна сила Fт=m*g.
Проекции сил, действующие на брусок на склоне, рисунок рисовать не буду, т.к. это полный стандарт в любой задаче.
Тянем вверх без ускорения, значит ma=0
F - Fтр - m*g*sina = 0 - проекции на ось вдоль плоскости, по которой тянем
N - m*g*cosa = 0 - проекции на перпендикуляр к плоскости
Fтр=k*N
Подставляем N из 2 ур-я и получившееся в 1-е ур-е.
F=k*m*g*cosa + m*g*sina
По условию тянуть труднее, значит,
F > Fт
k*m*g*cosa + m*g*sina > mg
k*cosa + sina > 1
k > (1-sina)/cosa
k > 0,58 - это ответ
2.Носители заряда в полупроводниках В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника. Те носители, концентрация которых выше, называют основными носителями заряда, а носители другого типа — неосновными.
3. Легирование - внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости.
4. Донорные и акцепторные, которые создают носители-электроны и носителидырки.