Электризация тел — процесс перераспределения электрических зарядов, имеющихся в телах, в результате чего тела приобретают заряды противоположных знаков.
2.Заряд, который возникает на стекле при трении его о шелк, условно называют положительным, а заряд, возникающий на эбоните при трении о шерсть, - отрицательным.Носителем отрицательного заряда является электрон, положительного - протон. Нейтрон - нейтральная частица, не имеет
3.Формулировка закона звучит так.
Силы взаимодействия между неподвижными зарядами прямо пропорциональна произведению модулей этих зарядов о также обратно пропорциональна расстоянию в квадрате между этими зарядами.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Объяснение:
Электризация тел — процесс перераспределения электрических зарядов, имеющихся в телах, в результате чего тела приобретают заряды противоположных знаков.
2.Заряд, который возникает на стекле при трении его о шелк, условно называют положительным, а заряд, возникающий на эбоните при трении о шерсть, - отрицательным.Носителем отрицательного заряда является электрон, положительного - протон. Нейтрон - нейтральная частица, не имеет
3.Формулировка закона звучит так.
Силы взаимодействия между неподвижными зарядами прямо пропорциональна произведению модулей этих зарядов о также обратно пропорциональна расстоянию в квадрате между этими зарядами.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и