решить тест! Предмет Электротехника
1. В чем заключается отличие физических процессов в биполярных и полевых транзисторах?
1) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, а в полевых - переносом носителей заряда одного знака
2) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков, только в биполярных учитывается перенос в обе стороны, а в полевых - только в одну сторону
3) И в биполярных, и в полевых транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, но в биполярных имеется паразитный процесс переноса носителей другого знака, а в полевых такой паразитный процесс отсутствует
4) В биполярных транзисторах физические процессы обусловлены переносом носителей заряда одного знака, а в полевых - переносом носителей заряда разных знаков
2.Как можно объяснить принцип работы биполярного транзистора, если физически он состоит из двух противоположно направленных диодов (p-n-переходов)?
1) Принцип работы заключается в том, что один p-n-переход проводит в прямом направлении, а другой при этом подвергается электрическому пробою (это означает, что важным параметром является длительность протекания тока - она должна быть небольшой)
2) Принцип работы заключается в том, что между его p-n-переходами существует взаимодействие – ток одного может управлять током другого (носители заряда, инжектированные через один из p-n-переходов, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток)
3) Принцип работы заключается в том, что проводимость транзистора идет в двух направлениях, от центрального электрода к боковым (или наоборот), соответственно составляющим его диодам
4) Принцип работы заключается в том, что p-n-переходы проводят ток попеременно - сначала коллекторный, потом эмиттерный, после чего транзистор закрывается на короткое время, а затем снова открывается
3. Что такое инжекция и экстракция?
1) Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием обратного напряжения
2) Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием прямого напряжения
3) Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием прямого напряжения
4) Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием обратного напряжения
4. Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
1) Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
2) Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
3) Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
4) Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
5) Все ответы неверны
5. Чему равен коэффициент а и что он означает?
1) а = 0,9-0,995 - число электронов, не рекомбинировавших в базе с дырками
2) а = 0,9-0,995 - число электронов, рекомбинировавших в базе с дырками
3) а = 0,5-1 - соотношение числа электронов, движущихся по коллекторному переходу к числу электронов, движущихся по эмиттерному переходу
4) а = 0,1-0,5 - соотношение плотности электронов в коллекторном переходе к плотности электронов, движущихся в эмиттерном переходе
6. Как можно описать основное свойство биполярного транзистора?
1) В биполярном транзисторе можно управлять напряжением путем контроля протекающего по нему тока
2) В биполярном транзисторе ток коллектора напрямую зависит от внутренней проводимости p-n-переходов
3) В биполярном транзисторе небольшой ток базы управляет большим током коллектора
4) В биполярном транзисторе контроль уровня потенциальных барьеров p-n-переходов позволяет управлять напряжением
7. Что представляет собой коэффициент В и какое теоретическое значение он имеет?
1) Коэффициент В представляет собой соотношение токов коллектора и базы; В = 50-250
2) Коэффициент В представляет собой соотношение токов эмиттера и базы; В = 50-250
3) Коэффициент В представляет собой соотношение токов эмиттера и базы; В = 10-100
4) Коэффициент В представляет собой соотношение токов коллектора и базы; В = 10-100
5) Все ответы неверны
Объяснение:
Согласно закону Стефана-Больцмана повышение температуры в 1.5 раза (9000К/6000К) приведет к повышению светимости тела всего в 1.5^4 = 5 раз. Так что Столь гигантская разница в светимости Денеба и Солнца объяснятся разным размером, точнее площадью - которая пропорциональна квадрату диаметра.
E/e = (T^4/t^4)*D^2/d^2
где
E и e - светимость Денеба и Солнца
T и t - температура Денеба и Солнца
D и d - диаметры Денеба и Солнца
или
D/d = корень((E/e)*(е^4/Е^4)) = корень(6000/5) = 108
То есть Ригель примерно в 100 раз больше Солнца
Кстати, согласно Вики
Ригель имеет
светимость 126000 светимостей Солнца
температуру 12300К
диаметр 75 диаметров Солнца