Рассчитай расстояние от центра Земли, на котором сила притяжения, действующая на тело, будет в 7,1 раз меньше, чем на поверхности Земли. Радиус Земли принять равным 6400 км. ответ (округли до целого числа): км.
найдем зависимость мощности отраженного сигнала от дальности до цели. данную рассмотрим для импульсной рлс, антенна которой при коэффициенте направленного действия (кнд) ка излучает импульсную мощность ри в направлении на цель, удаленную на расстояние д от рлс. допустим для начала, что в пространстве, окружающем цель, нет потерь энергии.если бы антенна рлс была ненаправленной, то на сфере радиусом дизлучаемая мощность равномерно распределилась по поверхности 4πд2. врайоне цели при этом будет создана плотность потока мощности: . (4.1)реальная антенна направленная, и за счет этого плотность потока мощности у цели в ка раз больше: . (4.2)энергия прямой волны частично поглощается, а частично рассеивается целью. всякая реальная цель обладает направленностью вторичного излучения, а ее отражающие свойства в направлении к рлс оцениваются некоторой средней эффективной площадью рассеяния (эпр) sэфц. значит, мощность отраженной волны представляется произведением пц·sэфц, а плотность потока мощности ппрм отраженного сигнала в месте расположения приемной антенны рлс. (4.3)часть излученной мощности попадает в антенну рлс: приемная антенна в соответствии со своей эффективной площадью sэфа (приблизительно равна 0,7sа) подводит к согласованному с ней приемнику мощность сигнала.
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
найдем зависимость мощности отраженного сигнала от дальности до цели. данную рассмотрим для импульсной рлс, антенна которой при коэффициенте направленного действия (кнд) ка излучает импульсную мощность ри в направлении на цель, удаленную на расстояние д от рлс. допустим для начала, что в пространстве, окружающем цель, нет потерь энергии.если бы антенна рлс была ненаправленной, то на сфере радиусом дизлучаемая мощность равномерно распределилась по поверхности 4πд2. врайоне цели при этом будет создана плотность потока мощности: . (4.1)реальная антенна направленная, и за счет этого плотность потока мощности у цели в ка раз больше: . (4.2)энергия прямой волны частично поглощается, а частично рассеивается целью. всякая реальная цель обладает направленностью вторичного излучения, а ее отражающие свойства в направлении к рлс оцениваются некоторой средней эффективной площадью рассеяния (эпр) sэфц. значит, мощность отраженной волны представляется произведением пц·sэфц, а плотность потока мощности ппрм отраженного сигнала в месте расположения приемной антенны рлс. (4.3)часть излученной мощности попадает в антенну рлс: приемная антенна в соответствии со своей эффективной площадью sэфа (приблизительно равна 0,7sа) подводит к согласованному с ней приемнику мощность сигнала.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.