Пунктирными линиями отмечено начальное положение листочков заряженного электроскопа (Рис. 4.15). Если наэлектризованной палочкой до- тронуться до стержня электроскопа, то листочки займут положение, обозначенное сплошными ли- ниями. Зарядом какого знака была наэлектризована палочка в каждом случие?
1. Сили пружності виникають при деформаціях тіл. Деформація – це зміна форми і розмірів тіла.
Сила пружності – це сила, що виникає при пружній деформації тіла і спрямована в бік, протилежний зміщенню частинок тіла в процесі деформації.
2. Здатність твердого тіла, конструкції чи її елементів чинити опір деформуванню від прикладеного зусилля.
Жорсткість тіла залежить від форми і розмірів тіла, від роду матеріалу.
3. Закон Гука - це твердження, згідно з яким, деформація, що виникає в пружному тілі, пропорційна прикладеній до цього тіла силі.
Для того, щоб виникли сили пружності між тілами або між окремими частинами одного і того ж тіла, необхідно, щоб тіла були деформовані, тобто щоб була змінена форма або обє'м тіла.
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.
1. Сили пружності виникають при деформаціях тіл. Деформація – це зміна форми і розмірів тіла.
Сила пружності – це сила, що виникає при пружній деформації тіла і спрямована в бік, протилежний зміщенню частинок тіла в процесі деформації.
2. Здатність твердого тіла, конструкції чи її елементів чинити опір деформуванню від прикладеного зусилля.
Жорсткість тіла залежить від форми і розмірів тіла, від роду матеріалу.
3. Закон Гука - це твердження, згідно з яким, деформація, що виникає в пружному тілі, пропорційна прикладеній до цього тіла силі.
Для того, щоб виникли сили пружності між тілами або між окремими частинами одного і того ж тіла, необхідно, щоб тіла були деформовані, тобто щоб була змінена форма або обє'м тіла.
Полупроводники бывают:
1.элементы 4й группы химической таблицы Менделеева: кремний Si, галлий Ga, (химически чистый элемент является собственным полупроводником) ;
2.соединения: карбид кремния SiC и Арсенид галлия GaAs.,(химически чистое соединение элементов является собственным полупроводником) ;
3. полупроводниковыми свойствами обладают оксиды некоторых металлов.
Названия полупроводник получили из-за свойства изменять уровень зоны проводимости и валентной зоны под действием электрического поля.
Влияние температуры на полупроводники изменяет их проводимость. При низкой температуре полупроводники обдают свойствами диэлектриков, и наоборот при повышении температуры их проводимость возрастает и их свойства сопоставим с проводниками.
Различаю два типа проводимости полупроводников n- полупроводник и p+ полупроводник. .
В полупроводниках n- типа основными носителями заряда являются электроны отрицательно заряженные частицы. Перенос заряда осуществляется в зоне проводимости полупроводника.
В полупроводниках p+ типа основными носителями заряда являются вакансии или "дырки" квазиположительные псевдочастицы.
Перенос заряда осуществляется в валентной зоне полупроводника.
Изменение типа проводимости добиваются путем легирования или введения примеси в собственный полупроводник
В отличии от металлов у которых электроны находятся в зоне проводимости у полупроводников носители заряда переходят из валентной зоны в зону проводимости под действием электромагнитного поля. Перейдя в зону проводимости электрон спустя короткое время возвращается в валентную зону и отдав энергию соизмеримую с величиной запрещенной зоны полупроводника полученную при переходе из валентной зоны в зону проводимости.
В приборах применяют n-p+ или p+n-. Благодаря разным типам проводимости на одном кристалле такие полупроводники обладают свойством односторонней проводимости (диод) .
Кроме того в вырожденных полупроводниках в зоне n-p+ перехода проявляется туннельный эффект.