Извини , рисовать не умею, но могу словами. Представим призму вид сбоку, стоящую на основании. Луч входит в левую грань чуть снизу, прелом ляется книзу и чез некоторое расстояние упирается в правую грань изнутри, опять ломается книзу и все- ничего сложного нарисуй и ,если не понятно, снова спроси. Об"яснять ты не просила. Теперь второй вопрос: Вика, представь себе (для понимания физики)что призма имеет опт. плотность, равную опт. плотности окруающего вещества, что произойдет с лучом? А ничего! Он пойдет прямо. Стало быть при изменении опт пл призмы от пплотности окружающего вещества до плотности первоначальной луч будет постепенно изменяться от прямолинейного до того, что был в первом случае все более и более преломляясь (уж извини за сокращения тяжело набирать номер копытом) Удачи-Непонятки пиши
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Об"яснять ты не просила. Теперь второй вопрос: Вика, представь себе (для понимания физики)что призма имеет опт. плотность, равную опт. плотности окруающего вещества, что произойдет с лучом? А ничего! Он пойдет прямо.
Стало быть при изменении опт пл призмы от пплотности окружающего вещества до плотности первоначальной луч будет постепенно изменяться от прямолинейного до того, что был в первом случае все более и более преломляясь (уж извини за сокращения тяжело набирать номер копытом)
Удачи-Непонятки пиши
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и