По свинцовой проволоке 2 м протекает ток силой 2а площадь поперечного сечения 0,3мм² а)какой заряд через поперечное сечение за 25сек б)чему равно сопротивление проволоки в)какое напряжение приложено к проволоке
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Аквалангисты поднимаются очень медленно с несколькими остановками на разных глубинах. Это делается для того, чтобы организм успел сбросить через лёгкие лишний азот, который высвобождается из крови и тканей. Если всплыть быстро, то лишний азот, находящийся в крови высвободится и образует газовые пузырьки, которые закупорят все сосуды и разорвут их, что приведёт к смерти. То-же самое происходит, если резко открыть бутылку газировки, давление резко падает и растворённая в воде углекислота превращается в газ.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.