При нагревании происходит диффузия свободных носителей заряда от нагретого конца к холодному, у холодного конца полупроводника возникает повышенная концентрация свободных носителей заряда. Т.е. если полупроводник принадлежит к р-типу, то потенциал выше у холодного конца, если же полупроводник n-типа, то более высоким оказывается потенциал нагретого конца.
Исходя из этого, имеем дело с полупроводником р-типа
полупроводник р-типа
Объяснение:
При нагревании происходит диффузия свободных носителей заряда от нагретого конца к холодному, у холодного конца полупроводника возникает повышенная концентрация свободных носителей заряда. Т.е. если полупроводник принадлежит к р-типу, то потенциал выше у холодного конца, если же полупроводник n-типа, то более высоким оказывается потенциал нагретого конца.
Исходя из этого, имеем дело с полупроводником р-типа