Какое количество теплоты Q выделится на резисторе сопротивления R после замыкания ключа K(рисунок)? Внутренним сопротивлением источника пренебречь.Велечина указанные на рисунке считайте известными. P.s. 5 тоже
чтобы преобразовать лед в воду его нужно сначала растопить, то есть перевести в жидкое состояние, а затем, полученную воду при 0 °с довести до температуры 20 °с. для плавления m=0,5 кг льда потребуется количество теплоты
,
где дж/кг – удельная теплота плавления льда. для повышения температуры воды той же массы (m=0,5 кг) с 0 °с до 20 °с, необходимо затратить теплоты
,
где - удельная теплоемкость воды; - изменение температуры воды. таким образом, общее количество теплоты будет равно
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
чтобы преобразовать лед в воду его нужно сначала растопить, то есть перевести в жидкое состояние, а затем, полученную воду при 0 °с довести до температуры 20 °с. для плавления m=0,5 кг льда потребуется количество теплоты
,
где дж/кг – удельная теплота плавления льда. для повышения температуры воды той же массы (m=0,5 кг) с 0 °с до 20 °с, необходимо затратить теплоты
,
где - удельная теплоемкость воды; - изменение температуры воды. таким образом, общее количество теплоты будет равно
,
вычисляем, получаем:
дж,
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и