3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
По правилу правого винта определяем направления напряженностей, созданных горизонтальными и вертикальными участками проводника. напряженности нв и нг будут направлены на нас. результирующая напряженность находится по принципу суперпозиции полей поле проводника конечной длины для горизонтального участка тока для вертикального участка тока тогда результирующее поле расстояние r0 ответ:
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -