Фокусное расстояние собирающей линзы составляет 40 см. изображение предмета находится на расстоянии 1,5 м от линзы. каким будет изображение? чему равно расстояние предмета до линзы?
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
Одноимённые полюса отталкиваются друг от друга, а разноименные - притягиваются. А это значит, что необходимо воспользоваться другим магнитом, у которого полюса определены и помечены разным цветом. Если полюса магнитов отталкиваются при сближении, то они одинаковы, если притягиваются – то разные. Как определить полярность магнита с других когда нет подходящего магнита? Возьмите компас и после того, как стрелка установится в магнитном поле Земли, медленно поднесите прибор к одной из сторон магнита. Северная стрелка (синяя) будет указывать на южный полюс магнита, южная (красная) – на северный и обычный телевизор. Поднесите магнит к телевизору в момент, когда перед началом или концом трансляции передается сетка для настройки. Если часть сетки после этого сместится в сторону магнита, то его поле отрицательное, если сместится от магнита – положительное. Еще один подвесить магнит на веревочку в месте, где рядом нет предметов из металла. Магнит расположится согласно полюсам Земли: северный полюс укажет на север, а южный – на юг.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и