Электроны движутся от катода к аноду (на рисунке слева направо). Вектора скорости v и магнитной индукции В перпендикулярны. Действующая сила Лоренца: Fл = e·V·B Направление силы Лоренца определяется правилом левой руки: если левую руку расположить так, чтобы составляющая магнитной индукции В, перпендикулярная скорости заряда, входила в ладонь, а четыре пальца были направлены по движению положительного заряда (против движения отрицательного), то отогнутый на 90 градусов большой палец покажет направление действующей на заряд силы Лоренца.
Использование этого правила в данном случае дает направление силы вверх (для положительного заряда). Значит, электроны, как частицы заряженные отрицательно, будут смещаться вниз.
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Вектора скорости v и магнитной индукции В перпендикулярны. Действующая сила Лоренца:
Fл = e·V·B
Направление силы Лоренца определяется правилом левой руки: если левую руку расположить так, чтобы составляющая магнитной индукции В, перпендикулярная скорости заряда, входила в ладонь, а четыре пальца были направлены по движению положительного заряда (против движения отрицательного), то отогнутый на 90 градусов большой палец покажет направление действующей на заряд силы Лоренца.
Использование этого правила в данном случае дает направление силы вверх (для положительного заряда). Значит, электроны, как частицы заряженные отрицательно, будут смещаться вниз.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.