Fвыт = рв - рж = 2,73 н - 2,10 н = 0,63 н fвыт = рgvпчт = рж = mж*g - (пчт - погруженная часть тела) mж = pж/g = 0,63 н / 9,8 н/кг = 0,064 кг = 64 г рж = mж/v = 64 г / 50 см^3 = 1,28 г/см^3 f = pя - в воде f = p - fвыт = р - рж*g*vя mя = р / g = 3950 н / 10 н/кг = 395 кг ря = 7800 кг/м^3 плотность стали vя = mя / ря = 395 н / 7800 н/м^3 = 0,051 м^3 f = 3950 н - 1000 кг/м^3 * 10 н/кг * 0,051 м^3 = 3950 н - 510 н = 3440 н
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.