1. Сила тока это по сути поток электрического заряда через поперечное сечение проводника. То есть сила тока в 1 А означает, что за 1 с через поперечное сечение проводника пройдёт заряд в 1 Кл. В данной задаче сила тока I=0.1 А, значит за 1 с проходит 0,1 Кл. Так как нужно 10 Кл, то для нахождения времени надо разделить t=10/0,1=100 c. 2. Удельное электрическое сопротивление проводника равно r=R*S/l, где R - электрическое сопротивление всего проводника, S - площадь поперечного сечения проводника, l - длина проводника. Для меди r=0.0175 мкОм*м. Отсюда находим площадь поперечного сечения проводника: S=rl/R; Плотность меди равна p=892 кг/м^3. Получаем массу проводника: m=pV; m=plS; m=prl^2/R; m=892*1.75*10^-8*10^6/2; m=7.805 кг.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
В данной задаче сила тока I=0.1 А, значит за 1 с проходит 0,1 Кл. Так как нужно 10 Кл, то для нахождения времени надо разделить t=10/0,1=100 c.
2. Удельное электрическое сопротивление проводника равно r=R*S/l, где R - электрическое сопротивление всего проводника, S - площадь поперечного сечения проводника, l - длина проводника. Для меди r=0.0175 мкОм*м. Отсюда находим площадь поперечного сечения проводника: S=rl/R;
Плотность меди равна p=892 кг/м^3.
Получаем массу проводника: m=pV;
m=plS;
m=prl^2/R;
m=892*1.75*10^-8*10^6/2;
m=7.805 кг.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и