1) При уменьшении объема газа, его давление увеличивается.
При увеличении объема, давление уменьшается (при условии, что масса и температура газа остаются неизменимыми)
2) При уменьшении его объема
3) Закон Паскаля формулируется так: Давление, производимое на жидкость или газ, передается в любую точку без изменений во всех направлениях.
4) Давление жидкости на покоящееся в ней тело называют гидростатическим давлением. Оно прямо пропорционально плотности и высоте слоя (столба) жидкости. Науку, изучающую давление жидкостей, называют гидростатикой. Гидростатическое давление на глубине h равно p = pатм + p*g*h
(если про жидкость что-то не то, то что именно тебе надо было?)
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
1) При уменьшении объема газа, его давление увеличивается.
При увеличении объема, давление уменьшается (при условии, что масса и температура газа остаются неизменимыми)
2) При уменьшении его объема
3) Закон Паскаля формулируется так: Давление, производимое на жидкость или газ, передается в любую точку без изменений во всех направлениях.
4) Давление жидкости на покоящееся в ней тело называют гидростатическим давлением. Оно прямо пропорционально плотности и высоте слоя (столба) жидкости. Науку, изучающую давление жидкостей, называют гидростатикой. Гидростатическое давление на глубине h равно p = pатм + p*g*h
(если про жидкость что-то не то, то что именно тебе надо было?)
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и