Добротность (Q) резонансной цепи характеризует ее качество. Более высокое значение этого показателя соответствует более узкой полосе пропускания (что весьма желательно для многих схем). Если говорить проще, то добротность представляет собой отношение энергии, накопленной в реактивном сопротивлении цепи, к энергии, рассеиваемой активным сопротивлением этой цепи:
rezonans40
Данная формула применима к последовательным резонансным цепям, а также к параллельным резонансным цепям, если сопротивление в них включено последовательно с катушкой индуктивности. Действительно, в практических схемах нас часто беспокоит сопротивление катушки индуктивности, которое ограничивает добротность. Заметьте: Некоторые учебники в формуле "Q" для параллельных резонансных схем меняют местами X и R. Это верно для большого значения R, включенного параллельно с C и L. Наша формула верна для небольшого значения R, включенного последовательно с L.
Практическое применение добротности (Q) заключается в том, что напряжение на L или С в последовательной резонансной цепи в Q раз больше общего приложенного напряжения. В параллельной резонансной цепи ток через L или С в Q раз больше общего приложенного тока.
Внешняя металлическая оболочка в наших условиях роли не играет.
Остается диэлектрический шар, единственный момент во всех подобного рода задачах потенциал принимают равным нулю на бесконечности, а тут он ноль в центре шара.
Добротность (Q) резонансной цепи характеризует ее качество. Более высокое значение этого показателя соответствует более узкой полосе пропускания (что весьма желательно для многих схем). Если говорить проще, то добротность представляет собой отношение энергии, накопленной в реактивном сопротивлении цепи, к энергии, рассеиваемой активным сопротивлением этой цепи:
rezonans40
Данная формула применима к последовательным резонансным цепям, а также к параллельным резонансным цепям, если сопротивление в них включено последовательно с катушкой индуктивности. Действительно, в практических схемах нас часто беспокоит сопротивление катушки индуктивности, которое ограничивает добротность. Заметьте: Некоторые учебники в формуле "Q" для параллельных резонансных схем меняют местами X и R. Это верно для большого значения R, включенного параллельно с C и L. Наша формула верна для небольшого значения R, включенного последовательно с L.
Практическое применение добротности (Q) заключается в том, что напряжение на L или С в последовательной резонансной цепи в Q раз больше общего приложенного напряжения. В параллельной резонансной цепи ток через L или С в Q раз больше общего приложенного тока.
Внешняя металлическая оболочка в наших условиях роли не играет.
Остается диэлектрический шар, единственный момент во всех подобного рода задачах потенциал принимают равным нулю на бесконечности, а тут он ноль в центре шара.
Напряженность поля внутри шара меняется по закону
Е = k/e * p*V / r^2 = 4*k*p*π*r/(3*e) = p*r/(3*e*e0)
Потенциал работе поля по переносу единичного заряда из нулевого потенциала ( центра шара ) в искомую точку
φ = ∫(0;r2) p*r*dr/(3*e*e0) = p*r2^2/(6*e*e0) = 9*10^(-5)*0,02^2/(6*2*8,854*10^(-12))=~339 В