Туда поезд ехал с учетом разницы во времени между пунктами отправления и назначения 17 часов 30 минут
Обратно поезд ехал тоже с учетом разницы во времени 13 часов 30 минут.
Известно, что время туда и время обратно должно совпадать, но у нас получается разница в 4 часа на дорогу в обе стороны. Значит половина этого времени (2 часа) прибавляется к времени в пути "туда", а вторая половина (2 часа) вычитается из времени в пути "обратно"
Отсюда находим что поезд фактически находился в пути "туда" 17ч30м минус 2 часа = 15 часов 30 минут, и фактически находился в пути "обратно" 13ч30м плюс 2 часа= 15 часов 30 минут. Округляя в десятичном виде до десятых получаем 15,5 ч.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
15,5 ч
Объяснение:
Туда поезд ехал с учетом разницы во времени между пунктами отправления и назначения 17 часов 30 минут
Обратно поезд ехал тоже с учетом разницы во времени 13 часов 30 минут.
Известно, что время туда и время обратно должно совпадать, но у нас получается разница в 4 часа на дорогу в обе стороны. Значит половина этого времени (2 часа) прибавляется к времени в пути "туда", а вторая половина (2 часа) вычитается из времени в пути "обратно"
Отсюда находим что поезд фактически находился в пути "туда" 17ч30м минус 2 часа = 15 часов 30 минут, и фактически находился в пути "обратно" 13ч30м плюс 2 часа= 15 часов 30 минут. Округляя в десятичном виде до десятых получаем 15,5 ч.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и